芯片正面平面互连封装与芯片封装前清洗介绍 - 合明科技

核心提示:芯片正面平面互连封装与芯片封装前清洗介绍,平面互连的方式不仅可以减小电流回路,进而减小杂散电感、电阻,还拥有更出色的温度循环特性以及可靠性。芯片封装清洗:合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

今天小编为大家带来一篇关于芯片正面平面互连封装与芯片封装前清洗介绍~

一、芯片正面平面互连封装:除采用柔性 PCB 板取代金属键合线外,还可使用平面互连的连接方式来实现芯片正面的连接。图 5 为 SiliconPower 公司采用端子直连(direct lead bonding,DLB)的焊接方法,类似的还有IR 的Cu-Clip IGBT,Siemens 的 SiPLIT 技术等。平面互连的方式不仅可以减小电流回路,进而减小杂散电感、电阻,还拥有更出色的温度循环特性以及可靠性。

1-芯片正面平面互连封装与芯片封装前清洗介绍,合明科技.png

用于 SiC 芯片的埋入式封装也可认为是一种芯片正面的平面直连封装。如图 6 所示,该方法将芯片置于陶瓷定位槽中,再用绝缘介质填充缝隙,z后覆盖掩膜两面溅射金属铜,实现电极连接。通过选择合理的封装材料,减小了模块在高温时的层间热应力,并能在 279℃的高温下测量模块的正反向特性。

2-芯片正面平面互连封装与芯片封装前清洗介绍,合明科技.png

平面直连的封装工艺通过消除金属键合线,将电流回路从 DBC 板平面布局拓展到芯片上下平面的层间布局,显著减小了回路面积,可实现低杂散电感参数,与之后介绍的双面散热封装以及三维封装实现低杂散电感的基本思路相同,只是实现方式略有不同。

二、芯片封装清洗

芯片封装清洗合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物,到底哪些才是z备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量z主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。

推荐使用合明科技水基清洗剂产品。

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