CW107C CuFe2P铜合金深冲性能好

CW107C CuFe2P铜合金深冲性能好
CM218E、CuP15(B)、CM219E、CuP15(C)
CM230E、CuS20、CM231E、CuSi10(A)
CM232E、CuSi10(B)、CM233E、CuSi20(A)
CM234E、CuSi20(B)、CM240E、CuSi30(A)
CM241E、CuSi30(B)、CM244E、CuTi30
CM236E、CuZr50(A)、CM242E、CuZr50(B)
CM243E、CuZr50(C)、CB330G、CuAl9-B这种微电路在结构上比zui紧凑的分立元件电路在尺寸和重量上小成千上万倍。它的出现引起了计算机的巨大变革，成为现代信息技术的基础。己开发出的很大规模集成电路，在比小姆指甲还小的单个芯片面积上，能做出的晶体管数目，己达十万甚至百万以上。国际著名的计算机公司IBM（国际商业机器公司），己采用铜代替硅芯片中的铝作互连线，取得了突破性进展。这种用铜的新型微芯片，可以获得30%的效能增益，电路的线尺寸可以减小到0.12微米，可使在单个芯片上集成的晶体管数目达到200万个。这就为古老的金属铜，在半导体集成电路这个zui新技术领域中的应用，开创了新局面 [1]  。引线框架
为了保护集成电路或混合电路的正常工作，需要对它进行封装；并在封装时，把电路中大量的接头从密封体内引出来。这些引线要求有一定的强度，构成该集成封装电路的支承骨架，称为引线框架。实际生产中，为了高速大批量生产，引线框架通常在一条金属带上按特定的排列方式连续冲压而成。框架材料占集成电路总成本的1/3～ l/4，而且用量很大；因此，必须要有低的成本。

CB331G、CuAl10Fe2-B、CB332G、CuAl10Ni3Fe2-B
CB333G、CuAl10Fe5Ni5-B、CB334G、CuAl11Fe6Ni6-B
CB380H、CuNi10Fe1Mn1-B、CB381H、CuNi30Fe1Mn1-B
CC380H、CuNi10Fe1Mn1-C、CC381H、CuNi30Fe1Mn1-C
CC382H、CuNi30Cr2FeMnSi-C、CC383H、CuNi30Fe1Mn1NbSi-C
CC330G、CuAl9-C、CC331G、CuAl10Fe2-C
CC332G、CuAl10Ni3Fe2-C、CC333G、CuAl10Fe5Ni5-C