CC483K CuSn12-C铜合金深冲性能好

CC483K CuSn12-C铜合金深冲性能好
CW301G、CuAl6Si2Fe、CW302G、CuAl7Si2
CW305G、CuAl10Fe1、CW306G、CuAl10Fe3Mn2
CW308G、CuAl11Fe6Ni6、CW102C、CuBe2Pb
CW113C、CuPb1P、CW114C、CuSP
CW118C、CuTeP、CW603N、CuZn36Pb3
CW609N、CuZn38Pb4、CW617N、CuZn40Pb2
CW614N、CuZn39Pb3、CW601N、CuZn35Pb2
微电子技术的核心是集成电路。集成电路是指以半导体晶体材料为基片（芯片），采用专门的工艺技术将组成电路的元器件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上的微小型化电路。这种微电路在结构上比zui紧凑的分立元件电路在尺寸和重量上小成千上万倍。它的出现引起了计算机的巨大变革，成为现代信息技术的基础。己开发出的很大规模集成电路，在比小姆指甲还小的单个芯片面积上，能做出的晶体管数目，己达十万甚至百万以上。国际著名的计算机公司IBM（国际商业机器公司），己采用铜代替硅芯片中的铝作互连线，取得了突破性进展。这种用铜的新型微芯片，可以获得30%的效能增益，电路的线尺寸可以减小到0.12微米，可使在单个芯片上集成的晶体管数目达到200万个。这就为古老的金属铜，在半导体集成电路这个zui新技术领域中的应用，开创了新局面 [1]  。引线框架
为了保护集成电路或混合电路的正常工作，需要对它进行封装；并在封装时，把电路中大量的接头从密封体内引出来。这些引线要求有一定的强度，构成该集成封装电路的支承骨架，称为引线框架。实际生产中，为了高速大批量生产，引线框架通常在一条金属带上按特定的排列方式连续冲压而成。框架材料占集成电路总成本的1/3～ l/4，而且用量很大；因此，必须要有低的成本。

CW607N、CuZn38Pb1、CW611N、CuZn39Pb1
CW602N、CuZn36Pb2As、CW711R、CuZn36Pb2Sn1
CW713R、CuZn37Mn3Al2PbSi、CW714R、CuZn37Pb1Sn1
CW720R、CuZn40Mn1Pb1、CW721R、CuZn40Mn1Pb1AlFeSn